Code | photo_camera | Remains | shopping_cart | 1 | 2 | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
045169 | Transistor N-ch 100V 320A 2.6mΩ | total: 99 pcs маг ДП: 99 pcs |
| VG semi | N | Одиночный | 100 V | 320 А | 2.6 мОм | 500 Вт | ||||
045920 | Transistor N-ch 120V 100A 5.5mΩ | total: 19 pcs маг ДП: 19 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 120 V | 100 А | 5.5 мОм | 125 Вт | ||||
029781 | Transistor N-ch Vds=150V Id25=3.7A Rds=68mOhm | total: 98 pcs маг ДП: 98 pcs |
| VISHAY | N | Одиночный | 150 V | 3.7 А | 68 мОм | 3 Вт | ||||
040719 | Transistor 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP | total: 8 pcs маг ДП: 8 pcs |
| IR | 2 N | Полумост | 150 / 150 V | 8.7 / 8.7 А | 80 / 80 мОм | 18 Вт | ||||
033355 | Transistor N-CH 150V 10A 31mOhm | total: 92 pcs маг ДП: 92 pcs |
| IR | N | Одиночный | 150 V | 10 А | 25.5 мОм | 156 Вт | ||||
025338 | Transistor P-Channel MOSFET -150V, -13A, 0.295Ω | total: 187 pcs маг ДП: 187 pcs |
| IR | P | Одиночный | -150 V | -13 А | 0.295 Ом | 110 Вт | ||||
024164 | Transistor N-ch Vds=150V Id25=23A Rds=90mOhm | total: 58 pcs маг ДП: 58 pcs |
| IR | N | Одиночный | 150 V | 23 А | 90 мОм | 136 Вт | ||||
024254 | Transistor N-ch Vds=150V Id25=35A Rds=32mOhm | total: 38 pcs маг ДП: 38 pcs |
| IR | N | Одиночный | 150 V | 35 А | 32 мОм | 144 Вт | ||||
030582 | Transistor N-ch Vds=150V Id25=35A Rds=32mOhm | total: 54 pcs маг ДП: 54 pcs |
| IR | N | Одиночный | 150 V | 35 А | 32 мОм | 144 Вт | ||||
045923 | Transistor N-ch 150V 52A 20.5mΩ | total: 85 pcs маг ДП: 85 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 150 V | 52 А | 20.5 мОм | 125 Вт | ||||
024258 | Transistor N-ch Vds=150V Id25=60A Rds=32mOhm | total: 50 pcs маг ДП: 50 pcs |
| IR | N | Одиночный | 150 V | 60 А | 32 мОм | 330 Вт | ||||
030607 | Transistor IXFP76N15T2 N-ch Vds=150V Id25=76A Rds=22mOhm | total: 31 pcs маг ДП: 31 pcs |
| IXYS | N | Одиночный | 150 V | 76 А | 22 мОм | 350 Вт | ||||
025817 | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=150V RDS(on) max=15.5mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=78A | total: 49 pcs маг ДП: 49 pcs |
| IR | N | Одиночный | 150 V | 78 А | 12 мОм | 310 Вт | ||||
040515 | Transistor N-ch 150V 170A 12mOhm | total: 26 pcs маг ДП: 26 pcs |
| IR | N | Одиночный | 150 V | 78 А | 12 мОм | 310 Вт | ||||
024850 | Transistor N-ch 150V 170A 12mOhm | total: 80 pcs маг ДП: 80 pcs |
| IR | N | Одиночный | 150 V | 83 А | 12 мОм | 330 Вт | ||||
015954 | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=150V RDS(on) max=5.9mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=171A | total: 17 pcs маг ДП: 17 pcs |
| IR | N | Одиночный | 150 V | 171 А | 4.8 мОм | 517 Вт | ||||
031226 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=120mA Rds=15Ohm | total: 105 pcs маг ДП: 105 pcs |
| DIODES | N | Одиночный | 200 V | 0.12 А | 0.5 Вт | |||||
009973 | Transistor P-ch Vds=-200V Id25=-0.56A Rds=1.5Ohm | total: 26 pcs маг ДП: 26 pcs |
| IR | P | Одиночный | -200 V | -0.56 А | 1.5 Ом | 1 Вт | ||||
009968 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=0.8A Rds=0.8Ohm | total: 79 pcs маг ДП: 79 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 0.8 А | 0.8 Ом | 1 Вт | ||||
028265 | Transistor P-ch Vds=-200V Id25=-6.5A Rds=0.8Ohm | total: 81 pcs маг ДП: 81 pcs |
| VISHAY | P | Одиночный | -200 V | -6.5 А | 0.8 Ом | 74 Вт | ||||
027637 | Transistor IRFR9N20DPBF N-Channel MOSFET 200V, 9.4A, 0.38Ω | total: 217 pcs маг ДП: 217 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 9.4 А | 0.38 Ом | 86 Вт | ||||
024163 | Transistor P-ch Vds=-200V Id25=-11A Rds=0.5R | total: 254 pcs маг ДП: 254 pcs |
| VISHAY | P | Одиночный | -200 V | -11 А | 0.5 Ом | 125 Вт | ||||
030587 | Transistor P-ch Vds=-200V Id25=-11A Rds=0.5Ohm | total: 73 pcs маг ДП: 73 pcs |
| IR | P | Одиночный | -200 V | -11 А | 0.5 Ом | 125 Вт | ||||
027872 | Transistor P-ch Vds= -200V Id25= -12A Rds=0.5Ohm | total: 46 pcs маг ДП: 46 pcs |
| VISHAY | P | Одиночный | -200 V | -12 А | 0.5 Ом | 150 Вт | ||||
024242 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=18A Rds=80mOhm | total: 93 pcs маг ДП: 93 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 18 А | 80 мОм | 100 Вт | ||||
025367 | Transistor N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.15Ω | total: 648 pcs маг ДП: 648 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 18 А | 0.15 Ом | 150 Вт | ||||
041761 | Transistor VDSS = 200V RDS(on) = 0.18Ω ID = 18A | total: 46 pcs маг ДП: 46 pcs |
| VISHAY | N | Одиночный | 200 V | 18 А | 0.18 Ом | 130 Вт | ||||
041780 | Transistor VDSS = 200V RDS(on) = 0.18Ω ID = 18A | total: 236 pcs маг ДП: 236 pcs |
| STM | N | Одиночный | 200 V | 18 А | 0.15 Ом | 125 Вт | ||||
045369 | Transistor VDSS = 200V RDS(on) = 0.15Ω ID = 18A | total: 188 pcs маг ДП: 188 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 200 V | 18 А | 0.15 Ом | 150 Вт | ||||
028174 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=20A Rds=0.18Ohm | total: 59 pcs маг ДП: 59 pcs |
| VISHAY | N | Одиночный | 200 V | 20 А | 0.18 Ом | 150 Вт | ||||
024255 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=25A Rds=72.5mOhm | total: 44 pcs маг ДП: 44 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 25 А | 60 мОм | 144 Вт | ||||
017343 | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=200V RDS(on) max=85mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=30A | total: 63 pcs маг ДП: 63 pcs |
| VISHAY | N | Одиночный | 200 V | 30 А | 85 мОм | 190 Вт | ||||
032526 | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=200V RDS(on) max=75mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=30A | total: 110 pcs маг ДП: 110 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 30 А | 75 мОм | 214 Вт | ||||
041013 | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=200V RDS(on) max=75mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=30A | total: 110 pcs маг ДП: 110 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 30 А | 75 мОм | 214 Вт | ||||
024198 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=31A Rds=82mOhm | total: 99 pcs маг ДП: 99 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 31 А | 82 мОм | 200 Вт | ||||
024241 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=44A Rds=54mOhm | total: 33 pcs маг ДП: 33 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 43 А | 54 мОм | 300 Вт | ||||
024265 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=50A Rds=40mOhm | total: 228 pcs маг ДП: 228 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 50 А | 40 мОм | 300 Вт | ||||
049701 | Transistor CS N-ch 200V 50A 42mΩ | total: 200 pcs маг ДП: 200 pcs |
| CRMICRO | N | Одиночный | 200 V | 50 А | 42 мОм | 240 Вт | ||||
020332 | Transistor FDP52N20 N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049Ω | total: 106 pcs маг ДП: 106 pcs |
| ONS | N | Одиночный | 200 V | 52 А | 41 мОм | 357 Вт | ||||
050572 | Transistor N-cn 200V 64A 263W 32mΩ | total: 200 pcs маг ДП: 200 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 200 V | 64 А | 27 мОм | 263 Вт | ||||
024246 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=65A Rds=19.7mOhm | total: 94 pcs маг ДП: 94 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 65 А | 19.7 мОм | 330 Вт | ||||
024272 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=65A Rds=21mOhm | total: 29 pcs маг ДП: 29 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 65 А | 21 мОм | 330 Вт | ||||
024243 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=76A Rds=17mOhm | total: 46 pcs маг ДП: 46 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 76 А | 17 мОм | 375 Вт | ||||
045926 | Transistor N-ch 200V 84A 12mΩ | total: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 200 V | 84 А | 10.6 мОм | 300 Вт | ||||
028677 | Transistor N-ch Vds=200V Id25=94A Rds=23mOhm | total: 32 pcs маг ДП: 32 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 94 А | 23 мОм | 580 Вт | ||||
045895 | Transistor N-ch 200V 100A 11mΩ | total: 61 pcs маг ДП: 61 pcs |
| NCE | N | Одиночный | 200 V | 100 А | 10 мОм | 300 Вт | ||||
049830 | Transistor N-ch 200V 110A 9.3mΩ | total: 51 pcs маг ДП: 51 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 200 V | 110 А | 9.3 мОм | 278 Вт | ||||
049834 | Транзистор HSX120N20 N-ch 200V 120A 11mΩ | total: 30 pcs маг ДП: 30 pcs |
| HUASHUO | N | Одиночный | 200 V | 120 А | 8.9 мОм | 500 Вт | ||||
032980 | Transistor N-CH 200V 130A 9.7mOhm | total: 38 pcs маг ДП: 38 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 130 А | 8 мОм | 520 Вт | ||||
040516 | Transistor N-ch 200V 182A 5.3mΩ | total: 36 pcs маг ДП: 36 pcs |
| IR | N | Одиночный | 200 V | 182 А | 5.3 мОм | 556 Вт |