Shown goods: from 1 to 50 (243 всего)
В наличии
Promotions
Discounted
| Код | photo_camera | Remains | shopping_cart | 1 | 2 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 049692 |  | Diode 5mA 16kV 0.08ms | всего: 115 pcs маг ДП: 115 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 5 мА | 16 kV | 80 нс | DO312 | ||||
| 037666 |  | Diode 5kV 20mA 100ns | всего: 116 pcs маг ДП: 116 pcs |
| EIC | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 20 мА | 5 kV | 100 нс | DO41 | |||
| 050632 |  | Diode 0.15A 75V | всего: 4300 pcs маг ДП: 4300 pcs |
| FOSAN | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.15 А | 75 V | 4 нс | SOD123 | |||
| 016327 |  | Schottky diode 2X0.2A 30V common anode | всего: 7290 pcs маг ДП: 7290 pcs |
| Диод Шоттки | 2 Diode | Общий анод | 0.2 А | 30 V | SOT23 | |||||
| 026721 |  | Schottky diode 0.2A 30V SOT23 Single | всего: 7060 pcs маг ДП: 1060 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 0.2 А | 30 V | SOT23 | |||||
| 050633 | | Schottky diode 2X0.2A 30V series connection | всего: 26650 pcs маг ДП: 5650 pcs |
| FOSAN | Диод Шоттки | 2 Diode | Полумост | 0.2 А | 30 V | SOT23 | ||||
| 050634 | | Schottky diode 2X0.2A 30V common cathode | всего: 14850 pcs маг ДП: 14850 pcs |
| FOSAN | Диод Шоттки | Diode | Общий катод | 0.2 А | 30 V | SOT23 | ||||
| 003417 |  | Diode LL VR = 75V, IF = 200mA, IFRM = 450mA, IFSM = 4A t = 4ns | всего: 8650 pcs маг ДП: 3650 pcs |
| SEMTECH | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.2 А | 75 V | 4 нс | SOD80C | |||
| 050638 |  | Diode Two diodes in series Vr=80B, If=0.2A | всего: 29560 pcs маг ДП: 29560 pcs |
| FOSAN | Быстрый диод | Полумост | 0.2 А | 80 V | 4 нс | SOT23 | ||||
| 026725 | | Diode 0.2A 100V 15ns serial connection | всего: 780 pcs маг ДП: 780 pcs |
| TASUND | Быстрый диод | 2 Diode | Полумост | 0.2 А | 100 V | 15 нс | SOT23 | |||
| 027650 |  | Diode 0.2A 100V | всего: 76165 pcs маг ДП: 1165 pcs |
| SEMTECH | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.2 А | 100 V | 4 нс | DO35 | |||
| 005836 | | Diode 0.2A 250V 50ns | всего: 11978 pcs маг ДП: 11978 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.2 А | 250 V | 50 нс | DO35 | ||||
| 027575 | | Diode Two diodes with a common anode. Vr = 75V, If = 215mA Cd = 2pF trr = 4ns, High-speed switching diodes | всего: 13490 pcs маг ДП: 1490 pcs |
| Быстрый диод | 2 Diode | Общий анод | 0.215 А | 75 V | 4 нс | SOT23 | ||||
| 004006 |  | Diode Two diodes with a common cathode. Vr = 75V, If = 215mA Cd = 1.5pF trr = 4ns, High-speed switching diodes | всего: 8080 pcs маг ДП: 8080 pcs |
| Быстрый диод | 2 Diode | Общий катод | 0.215 А | 100 V | 4 нс | SOT23 | ||||
| 031507 |  | Diode Diode assembly two half-bridge 300V 225MA 50ns | всего: 304 pcs маг ДП: 304 pcs |
| DIODES | Быстрый диод | 4 Diode | 2 полумоста | 0.225 А | 300 V | 50 нс | SOT23-6 | |||
| 023535 |  | Diode 0.15A 100V 4ns 200mW | всего: 14675 pcs маг ДП: 14675 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.3 А | 100 V | 4 нс | SOD323 | ||||
| 032970 |  | Diode | всего: 3930 pcs маг ДП: 3930 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.3 А | 100 V | 4 нс | SOD523 | ||||
| 037086 |  | Diode 0.35A 12kV is used in magnetron power circuits, for microwave ovens | всего: 30 pcs маг ДП: 30 pcs |
| SK | Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 0.35 А | 12 kV | |||||
| 029211 | | Diode 225mA 250V 50ns serial connection | всего: 1390 pcs маг ДП: 1390 pcs |
| CJ | Быстрый диод | 2 Diode | Полумост | 0.4 А | 200 V | 50 нс | SOT23 | |||
| 002105 |  | Schottky diode 20V 1A/25Ap | всего: 22390 pcs маг ДП: 3390 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 20 V | DO41 | ||||
| 007209 |  | Schottky diode Schottky diode 1A 20V | всего: 3790 pcs маг ДП: 3790 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 20 V | SMA | |||||
| 007194 | | Schottky diode 30V 1A/25Ap | всего: 5359 pcs маг ДП: 5359 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 30 V | DO41 | ||||
| 004808 | | Schottky diode 40V 1A/25Ap | всего: 26805 pcs маг ДП: 2805 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 40 V | DO41 | ||||
| 006661 |  | Schottky diode Schottky diode 1A 40V | всего: 4000 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 40 V | SMA | |||||
| 036057 | | Schottky diode Schottky diode 1A, 40V. | всего: 5395 pcs маг ДП: 2395 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 40 V | SOD523 | |||||
| 050637 | | Schottky diode Schottky diode 1A, 40V. | всего: 29100 pcs маг ДП: 29100 pcs |
| FOSAN | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 40 V | SOD123 | ||||
| 029199 | | Diode | всего: 28401 pcs маг ДП: 3401 pcs |
| MIC | Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1 А | 50 V | DO41 | ||||
| 004240 | | Schottky diode Schottky diode 1A, 60B | всего: 10920 pcs маг ДП: 10920 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 60 V | SMA | |||||
| 029196 | | Schottky diode 1A 60V | всего: 7320 pcs маг ДП: 7320 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 60 V | DO41 | ||||
| 016328 | | Schottky diode Schottky diode 1A, 80B | всего: 8980 pcs маг ДП: 8980 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 80 V | SMA | |||||
| 029198 | | Schottky diode 1A 100V | всего: 5790 pcs маг ДП: 5790 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 100 V | DO41 | ||||
| 007175 |  | Diode 1A 400V 35ns | всего: 30137 pcs маг ДП: 12137 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 400 V | 35 нс | DO41 | ||||
| 029200 | | Diode | всего: 31950 pcs маг ДП: 1950 pcs |
| MIC | Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1 А | 400 V | DO41 | ||||
| 005635 |  | Diode 1A 600V 35ns | всего: 19550 pcs маг ДП: 1550 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 600 V | 35 нс | DO41 | ||||
| 006780 |  | Diode 1A 600V 150ns | всего: 17410 pcs маг ДП: 5410 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 600 V | 150 нс | DO41 | ||||
| 005903 |  | Diode 1A 1000V 75ns | всего: 17420 pcs маг ДП: 4420 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 75 нс | DO41 | ||||
| 006200 |  | Diode 1A 1000V | всего: 7150 pcs маг ДП: 7150 pcs |
| Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | R-1 | |||||
| 011731 | | Diode 1A 1000V | всего: 2980 pcs маг ДП: 2980 pcs |
| MIC | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 500 нс | DO41 | |||
| 016666 |  | Diode 1A 1000V 75ns | всего: 14740 pcs маг ДП: 6740 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 75 нс | SMA | ||||
| 029185 | | Diode | всего: 21174 pcs маг ДП: 1174 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 75 нс | DO41 | ||||
| 034313 |  | Diode 1000V 1A 500ns | всего: 8020 pcs маг ДП: 8020 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 500 нс | SOD123-FL | ||||
| 036055 |  | Diode 1A, 1000V | всего: 23600 pcs маг ДП: 23600 pcs |
| Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | SMAF | |||||
| 037637 | | Diode 1A 1000V | всего: 13350 pcs маг ДП: 13350 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 500 нс | SOD123-FL | ||||
| 037643 | | Diode | всего: 17350 pcs маг ДП: 17350 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 70 нс | SMAF | ||||
| 007192 | | Schottky diode 1.1A 100V | всего: 166 pcs маг ДП: 166 pcs |
| IR | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1.1 А | 100 V | DO204AL | ||||
| 003416 |  | Diode 2A 1000V | всего: 15000 pcs |
| Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1.5 А | 1 kV | 2 мкс | SMB | ||||
| 007184 | | Diode 1.5A 1000V 500ns | всего: 9411 pcs маг ДП: 411 pcs |
| MIC | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1.5 А | 1 kV | 250 нс | DO15 | |||
| 029191 | | Diode | всего: 10140 pcs маг ДП: 10140 pcs |
| Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1.5 А | 1 kV | SMA | |||||
| 029195 | | Schottky diode 2A 100V | всего: 3000 pcs маг ДП: 3000 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 2 А | 100 V | DO15 | ||||
| 030740 |  | Schottky diode 2A 100V | всего: 5238 pcs маг ДП: 2238 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 2 А | 100 V | SMB |
Rectifier diodes- diodes designed to convert alternating current into direct current.
The frequency range of the rectifier diodes is small. When converting industrial alternating current, the operating frequency is 50 Hz, the limiting frequency of the rectifier diodes does not exceed 20 kHz.
The recovery time of the reverse resistance of the base of a diode is a transient process that occurs when the diode switches from a conducting state (direct) to a closed state. Rectifier diodes are typically over 500 ns.
Conditionally tofast diodesinclude rectifier diodes with a base reverse resistance recovery time of no more than 500 ns.
Schottky diode- semiconductor diode with low voltage drop during direct connection. Named after the German physicist Walter Schottky. In the special literature, a more complete name is often used - Schottky Barrier Diode (DSB).
Schottky diodes use a metal-semiconductor junction as a Schottky barrier, unlike conventional diodes, which use a pn junction. A metal-semiconductor junction has a number of special properties (different from the properties of a semiconductor p-n junction). These include: low forward voltage drop, high leakage current, very low reverse recovery charge. The latter is explained by the fact that, in comparison with the conventional p-n junction, such diodes have no diffusion associated with the injection of minority carriers, i.e. they work only on the main carriers, and their performance is determined only by the barrier capacity.
* the full version of the article can be found atlink
The frequency range of the rectifier diodes is small. When converting industrial alternating current, the operating frequency is 50 Hz, the limiting frequency of the rectifier diodes does not exceed 20 kHz.
The recovery time of the reverse resistance of the base of a diode is a transient process that occurs when the diode switches from a conducting state (direct) to a closed state. Rectifier diodes are typically over 500 ns.
Conditionally tofast diodesinclude rectifier diodes with a base reverse resistance recovery time of no more than 500 ns.
Schottky diode- semiconductor diode with low voltage drop during direct connection. Named after the German physicist Walter Schottky. In the special literature, a more complete name is often used - Schottky Barrier Diode (DSB).
Schottky diodes use a metal-semiconductor junction as a Schottky barrier, unlike conventional diodes, which use a pn junction. A metal-semiconductor junction has a number of special properties (different from the properties of a semiconductor p-n junction). These include: low forward voltage drop, high leakage current, very low reverse recovery charge. The latter is explained by the fact that, in comparison with the conventional p-n junction, such diodes have no diffusion associated with the injection of minority carriers, i.e. they work only on the main carriers, and their performance is determined only by the barrier capacity.
* the full version of the article can be found atlink
