ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ IGBT транзисторы и модули

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
039345

Транзистор NGTB40N120FL3WG

IGBT 1200V 40A
Транзистор NGTB40N120FL3WG
Корпус: TO247
Производитель: ON Semiconductor (ONS)
НЕТ в наличии.
Ожидаемая цена: 264,60 грн
от 1 шт. : — 264,60 грн
от 5 шт. : — 244,80 грн ( -7,5%)
от 30 шт. : — 224,90 грн ( -15,0%)
Цены указаны на момент наличия товара и могут измениться при его поступлении

Текущие остатки:

НЕТ в наличии

Похожие товары

Транзистор NCE40TD120VTP Корпус: TO-247P структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 468 Вт
Транзистор CRG40T120AK3S Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 278 Вт
Транзистор IHW40N120R3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 429 Вт
Транзистор IKW40N120H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 483 Вт
Транзистор IKW40N120T2 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 75 А Ic100: 40 А Pd25: 480 Вт
Транзистор FGL35N120FTD Корпус: TO264 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 70 А Ic100: 35 А Pd25: 368 Вт
Транзистор FGH40T120SMD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 555 Вт

Технические характеристики

Производитель ON Semiconductor (ONS)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 1.2 kV
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 80 А
Макс. ток коллектора (100°C) 40 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 80 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 86 / 136 нс
Мощность рассеяния при 25°C 454 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Техническая документация

Файл с описаниемФайл с описанием (265Kb)

Изображение товара

Транзистор NGTB40N120FL3WG

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.